MRF8S9100HS
Виробник:
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF8S9100HS
GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960 MHz, 72 W CW, 28 V.
Інші пропозиції MRF8S9100HS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF8S9100HS | NXP Semiconductors | GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960 MHz, 72 W CW, 28 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF8S9100HS |
Виробник: NXP Semiconductors
GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960 MHz, 72 W CW, 28 V
GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960 MHz, 72 W CW, 28 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.