Продукція > MRF > MRF8S9200NR3

MRF8S9200NR3


MRF8S9200N.pdf
Виробник:

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF8S9200NR3

Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2, Current - Test: 1.4 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 70 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: OM-780-2, Technology: LDMOS, Gain: 19.9dB, Power - Output: 58W, Frequency: 940MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: OM-780-2, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MRF8S9200NR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRF8S9200NR3 MRF8S9200NR3 NXP USA Inc. MRF8S9200N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 70 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: OM-780-2
Technology: LDMOS
Gain: 19.9dB
Power - Output: 58W
Frequency: 940MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: OM-780-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF8S9200NR3 MRF8S9200NR3 NXP Semiconductors MRF8S9200N-1127246.pdf RF MOSFET Transistors HV8 900MHz 58W OM780-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF8S9200NR3 MRF8S9200N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 70 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: OM-780-2
Technology: LDMOS
Gain: 19.9dB
Power - Output: 58W
Frequency: 940MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: OM-780-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF8S9200NR3 MRF8S9200N-1127246.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV8 900MHz 58W OM780-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.