MRFE6P3300HR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 32V NI860C3
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-860C3
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 857MHz ~ 863MHz
Power - Output: 270W
Gain: 20.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-860C3
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 1.6 A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6P3300HR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 32V NI860C3, Supplier Device Package: NI-860C3, Technology: LDMOS, Gain: 20.4dB, Power - Output: 270W, Frequency: 857MHz ~ 863MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-860C3, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 1.6 A, Voltage - Test: 32 V, Voltage - Rated: 66 V.
Інші пропозиції MRFE6P3300HR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6P3300HR3 |
|
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| MRFE6P3300HR3 | NXP |
Description: NXP - MRFE6P3300HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6P3300HR3 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFE6P3300HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NXP - MRFE6P3300HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)