MRFE6S9130HR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 950 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 19.2dB
Power - Output: 27W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6S9130HR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 950 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 66 V, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 19.2dB, Power - Output: 27W, Frequency: 880MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MRFE6S9130HR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6S9130HR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 130W NI780H |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6S9130HR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 130W NI780H
RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 130W NI780H
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.