MRFE6S9135HSR3 Freescale Semiconductor
Виробник: Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-880S
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1GHz
Power - Output: 39W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6836.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6S9135HSR3 Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S, Packaging: Bulk, Package / Case: NI-880S, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1GHz, Power - Output: 39W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880S, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1 A.
Інші пропозиції MRFE6S9135HSR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6S9135HSR3 |
|
на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| MRFE6S9135HSR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R |
товару немає в наявності |
||
| MRFE6S9135HSR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-880S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 940MHz Power - Output: 39W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880S Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1 A |
товару немає в наявності |