MRFE6S9160HSR3
Виробник:
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6S9160HSR3
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 880MHz, Power - Output: 35W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.2 A.
Інші пропозиції MRFE6S9160HSR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6S9160HSR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 35W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.2 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6S9160HSR3 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 880MHz
Power - Output: 35W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.2 A
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 880MHz
Power - Output: 35W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.2 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.