Продукція > MRF > MRFE6S9200HR3

MRFE6S9200HR3


MRFE6S9200H.pdf
Виробник:

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFE6S9200HR3

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 880MHz, Power - Output: 58W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880H-2L, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.

Інші пропозиції MRFE6S9200HR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HR3 NXP USA Inc. MRFE6S9200H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-957A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 880MHz
Power - Output: 58W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9200HR3 NXP Semiconductors mrfe6s9200h-1188487.pdf RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 200W NI880H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200H.pdf
MRFE6S9200HR3
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-957A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 880MHz
Power - Output: 58W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9200HR3 mrfe6s9200h-1188487.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 200W NI880H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.