MRFE6S9200HR3 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MRFE6S9200HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 12467.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6S9200HR3 NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 880MHz, Power - Output: 58W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880H-2L, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.
Інші пропозиції MRFE6S9200HR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6S9200HR3 |
|
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
MRFE6S9200HR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin NI-880 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
MRFE6S9200HR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 58W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A |
товару немає в наявності |
|
| MRFE6S9200HR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 200W NI880H |
товару немає в наявності |