Технічний опис MRFE6S9200HR3
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 880MHz, Power - Output: 58W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880H-2L, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.
Інші пропозиції MRFE6S9200HR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6S9200HR3 | NXP |
Description: NXP - MRFE6S9200HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6S9200HR3 |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFE6S9200HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NXP - MRFE6S9200HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


