MRFE6S9205HR3
Виробник:
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6S9205HR3
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H, Current - Test: 1.4 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 66 V, Supplier Device Package: NI-880H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 21.2dB, Power - Output: 58W, Frequency: 880MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MRFE6S9205HR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6S9205HR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 66 V Supplier Device Package: NI-880H-2L Technology: LDMOS Gain: 21.2dB Power - Output: 58W Frequency: 880MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6S9205HR3 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 21.2dB
Power - Output: 58W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 21.2dB
Power - Output: 58W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.