MRFE6S9205HSR3 NXP Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2087.58 грн |
| 251+ | 1610.24 грн |
| 501+ | 1331.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
250 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6S9205HSR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-880S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 880MHz, Power - Output: 58W, Gain: 21.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880S, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.
Інші пропозиції MRFE6S9205HSR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6S9205HSR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880SPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-880S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 58W Gain: 21.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880S Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6S9205HSR3 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-880S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 880MHz
Power - Output: 58W
Gain: 21.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-880S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 880MHz
Power - Output: 58W
Gain: 21.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



