MRFE6S9205HSR3 NXP Semiconductors


17186328705267mrfe6s9205h.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF FET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+2087.58 грн
251+1610.24 грн
501+1331.85 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 250 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFE6S9205HSR3 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-880S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 880MHz, Power - Output: 58W, Gain: 21.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880S, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.

Інші пропозиції MRFE6S9205HSR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MRFE6S9205HSR3 NXP USA Inc. MRFE6S9205H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-880S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 880MHz
Power - Output: 58W
Gain: 21.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HSR3 MRFE6S9205H.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-880S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 880MHz
Power - Output: 58W
Gain: 21.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.