MRFE6S9205HSR3 NXP Semiconductors
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 1957.40 грн |
| 251+ | 1509.82 грн |
| 501+ | 1248.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6S9205HSR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-880S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 880MHz, Power - Output: 58W, Gain: 21.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880S, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.
Інші пропозиції MRFE6S9205HSR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6S9205HSR3 |
 |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| MRFE6S9205HSR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R |
товару немає в наявності |
||
| MRFE6S9205HSR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-880S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 58W Gain: 21.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880S Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A |
товару немає в наявності |