MRFE6VP100HSR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Technology: LDMOS
Gain: 26dB
Power - Output: 100W
Frequency: 512MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780S-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP100HSR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 133 V, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Technology: LDMOS, Gain: 26dB, Power - Output: 100W, Frequency: 512MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-780S-4L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MRFE6VP100HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP100HSR5 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6VP100HSR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.