MRFE6VP100HSR5 NXP Semiconductors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 9050.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP100HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 512MHz, Power - Output: 100W, Gain: 26dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MRFE6VP100HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP100HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
MRFE6VP100HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
MRFE6VP100HSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
|
 |
MRFE6VP100HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM |
товару немає в наявності |