Продукція > NXP USA INC. > MRFE6VP5150GNR1
MRFE6VP5150GNR1

MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc.


MRFE6VP5150N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3622.73 грн
10+2863.00 грн
25+2706.83 грн
100+2379.24 грн
250+2302.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4, Frequency: 230MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-270BB, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 133 V, Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull, Technology: LDMOS, Gain: 26.1dB, Power - Output: 150W, Configuration: Dual.

Інші пропозиції MRFE6VP5150GNR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5150N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 NXP Semiconductors MRFE6VP5150N-3139669.pdf RF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150N.pdf
MRFE6VP5150GNR1
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150N-3139669.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.