MRFE6VP5150GNR1 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2244.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP5150GNR1 NXP
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 139V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 952W, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 952W, Bauform - HF-Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRFE6VP5150GNR1 за ціною від 1851.55 грн до 2619.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFE6VP5150GNR1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 139V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 952W Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Bauform - HF-Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MRFE6VP5150GNR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270BB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 150W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MRFE6VP5150GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
MRFE6VP5150GNR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 150W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
|||||||||||||
| MRFE6VP5150GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V |
товар відсутній |