Продукція > NXP USA INC. > MRFE6VP5150GNR1
MRFE6VP5150GNR1

MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc.

MRFE6VP5150N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3581.09 грн
10+2830.09 грн
25+2675.72 грн
100+2351.89 грн
250+2276.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc.

Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 139V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 952W, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 952W, Bauform - Transistor: TO-270WBG, Bauform - HF-Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MRFE6VP5150GNR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 NXP Semiconductors 974572023167051mrfe6vp5150n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5150N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 NXP Semiconductors MRFE6VP5150N-3139669.pdf RF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 NXP FSCLS11843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 952W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 NXP FSCLS11843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 974572023167051mrfe6vp5150n.pdf
MRFE6VP5150GNR1
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150N.pdf
MRFE6VP5150GNR1
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150N-3139669.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 FSCLS11843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MRFE6VP5150GNR1
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 952W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1 FSCLS11843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MRFE6VP5150GNR1
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.