MRFE6VP5150NR1 NXP Semiconductors
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 2539.84 грн |
| 10+ | 2449.90 грн |
| 25+ | 2392.14 грн |
| 100+ | 2251.80 грн |
| 250+ | 2034.17 грн |
| 500+ | 1904.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP5150NR1 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 952W, Bauform - Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRFE6VP5150NR1 за ціною від 2040.00 грн до 4093.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Bauform - Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Bauform - Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 150W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MRFE6VP5150NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 150W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |