MRFE6VP5300NR1 NXP Semiconductors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 6714.74 грн |
| 5+ | 6343.42 грн |
| 10+ | 5714.23 грн |
| 25+ | 5191.88 грн |
| 50+ | 4696.78 грн |
| 500+ | 4358.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP5300NR1 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 140V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 909W, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 909W, Bauform - Transistor: TO-270WB, Bauform - HF-Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRFE6VP5300NR1 за ціною від 8112.09 грн до 8112.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFE6VP5300NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
MRFE6VP5300NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
MRFE6VP5300NR1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 140V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 909W Bauform - Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
MRFE6VP5300NR1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 140V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 909W Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 909W Bauform - Transistor: TO-270WB Bauform - HF-Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
MRFE6VP5300NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
MRFE6VP5300NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
MRFE6VP5300NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
|||||
| MRFE6VP5300NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V |
товару немає в наявності |