MRFE6VP5600HR5 NXP Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 29851.80 грн |
| 10+ | 24449.95 грн |
| 50+ | 21260.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP5600HR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Configuration: Dual, Frequency: 230MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-979A, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 130 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Technology: LDMOS, Gain: 25dB, Power - Output: 600W.
Інші пропозиції MRFE6VP5600HR5 за ціною від 43545.30 грн до 52301.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MRFE6VP5600HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-979A Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 130 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 600W |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
MRFE6VP5600HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230Frequency: 230MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-979A Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 130 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 600W Configuration: Dual |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MRFE6VP5600HR5 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 43545.30 грн |
| MRFE6VP5600HR5 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 52301.40 грн |
| 10+ | 44341.34 грн |



