MRFE6VP5600HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 43140.86 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
50 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP5600HR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VP5600HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.667kW, Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції MRFE6VP5600HR5 за ціною від 43929.51 грн до 51815.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFE6VP5600HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
MRFE6VP5600HR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
MRFE6VP5600HR5 | NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5600HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.667kW Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6VP5600HR5 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 51815.64 грн |
| 10+ | 43929.51 грн |
| MRFE6VP5600HR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MRFE6VP5600HR5 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFE6VP5600HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: NXP - MRFE6VP5600HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)