MRFE6VP5600HR6 NXP Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15146.88 грн |
| 5+ | 14864.64 грн |
| 10+ | 12983.04 грн |
| 25+ | 12247.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP5600HR6 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 130V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.667kW, Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRFE6VP5600HR6 за ціною від 14835.48 грн до 55754.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MRFE6VP5600HR6 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
MRFE6VP5600HR6 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
MRFE6VP5600HR6 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
MRFE6VP5600HR6 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
MRFE6VP5600HR6 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
MRFE6VP5600HR6 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 130 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-979A Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
MRFE6VP5600HR6 | NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 130V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.667kW Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6VP5600HR6 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15868.47 грн |
| 10+ | 14835.48 грн |
| MRFE6VP5600HR6 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15868.47 грн |
| 10+ | 14835.48 грн |
| MRFE6VP5600HR6 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 18420.86 грн |
| MRFE6VP5600HR6 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 18420.86 грн |
| MRFE6VP5600HR6 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 18420.86 грн |
| MRFE6VP5600HR6 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 55754.48 грн |
| 10+ | 47359.21 грн |
| MRFE6VP5600HR6 |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





