MRFE6VP5600HR6 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10611 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP5600HR6 NXP
Description: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 130V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.667kW, Anzahl der Pins: 4Pin(s), productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRFE6VP5600HR6 за ціною від 9458.95 грн до 12174.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP5600HR6 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MRFE6VP5600HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MRFE6VP5600HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
MRFE6VP5600HR6 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |