Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > MRFE6VP61K25HR5
MRFE6VP61K25HR5

MRFE6VP61K25HR5 NXP Semiconductors

MRFE6VP61K25H-3138980.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18418.62 грн
10+14565.48 грн
50+12665.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFE6VP61K25HR5 NXP Semiconductors

Description: NXP - MRFE6VP61K25HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.333kW, Bauform - Transistor: NI-1230H-4S, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MRFE6VP61K25HR5 за ціною від 23170.61 грн до 91481.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25HR5 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+23485.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25HR5 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28847.38 грн
10+24091.02 грн
25+23170.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25HR5 NXP FSCLS11685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - MRFE6VP61K25HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.333kW
Bauform - Transistor: NI-1230H-4S
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+91481.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25H.pdf
MRFE6VP61K25HR5
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23485.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25H.pdf
MRFE6VP61K25HR5
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28847.38 грн
10+24091.02 грн
25+23170.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5 FSCLS11685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MRFE6VP61K25HR5
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.333kW
Bauform - Transistor: NI-1230H-4S
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+91481.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.