MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 1.333kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: NI-1230H-4S, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Інші пропозиції MRFE6VP61K25HR6 за ціною від 22659.56 грн до 28251.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP61K25HR6 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | NXP |
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 1.333kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: NI-1230H-4S Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6VP61K25HR6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23604.67 грн |
| MRFE6VP61K25HR6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23604.67 грн |
| MRFE6VP61K25HR6 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28251.46 грн |
| 10+ | 23567.54 грн |
| 25+ | 22659.56 грн |
| MRFE6VP61K25HR6 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.333kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-1230H-4S
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.333kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-1230H-4S
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MRFE6VP61K25HR6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H
RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)