MRFE6VP6300HR5 NXP Semiconductors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 11082.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP6300HR5 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.05kW, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRFE6VP6300HR5 за ціною від 43703.31 грн до 62087.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP6300HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780H-4 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRFE6VP6300HR5 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05kW Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRFE6VP6300HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MRFE6VP6300HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MRFE6VP6300HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
MRFE6VP6300HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MRFE6VP6300HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |