MRFE6VP6300HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22436.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP6300HR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.05kW, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRFE6VP6300HR5 за ціною від 19561.76 грн до 45244.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP6300HR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780H-4 |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
MRFE6VP6300HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
MRFE6VP6300HR5 | NXP |
Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05kW Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MRFE6VP6300HR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780H-4
RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780H-4
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 23760.67 грн |
| 10+ | 22496.84 грн |
| 50+ | 19561.76 грн |
| MRFE6VP6300HR5 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 27618.70 грн |
| 10+ | 23031.35 грн |
| 25+ | 22141.55 грн |
| MRFE6VP6300HR5 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05kW
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05kW
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45244.55 грн |