Продукція > NXP USA INC. > MRFE6VP6300HSR5
MRFE6VP6300HSR5

MRFE6VP6300HSR5 NXP USA Inc.



Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Technology: LDMOS
Gain: 26.5dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780S-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFE6VP6300HSR5 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 130 V, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Technology: LDMOS, Gain: 26.5dB, Power - Output: 300W, Configuration: Dual, Frequency: 230MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-780S-4L, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MRFE6VP6300HSR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRFE6VP6300HSR5 MRFE6VP6300HSR5 NXP Semiconductors MRFE6VP6300H.pdf RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780S-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HSR5 MRFE6VP6300H.pdf
MRFE6VP6300HSR5
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780S-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.