MRFE6VP6600GNR3 NXP Semiconductors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP6600GNR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780G-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 600W, Gain: 24.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780G-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MRFE6VP6600GNR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFE6VP6600GNR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R |
товару немає в наявності |
|
| MRFE6VP6600GNR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780G-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 24.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780G-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
||
| MRFE6VP6600GNR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V |
товару немає в наявності |