Технічний опис MRFE6VP6600GNR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780G-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 600W, Gain: 24.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780G-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MRFE6VP6600GNR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6VP6600GNR3 | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780G-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 24.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780G-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | |
| MRFE6VP6600GNR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
MRFE6VP6600GNR3 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6VP6600GNR3 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780G-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 24.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780G-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780G-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 24.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780G-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MRFE6VP6600GNR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MRFE6VP6600GNR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.