MRFE6VP6600GNR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: OM-780G-4L
Technology: LDMOS
Gain: 24.7dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: OM-780G-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP6600GNR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 133 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: OM-780G-4L, Technology: LDMOS, Gain: 24.7dB, Power - Output: 600W, Configuration: Dual, Frequency: 230MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: OM-780G-4L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MRFE6VP6600GNR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6VP6600GNR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6VP6600GNR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.