MRFE6VP6600NR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-780-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 24.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-4L
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11841.33 грн |
| 10+ | 9690.56 грн |
| 25+ | 9263.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP6600NR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 600W, Gain: 24.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780-4L, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MRFE6VP6600NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFE6VP6600NR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 24.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-4L Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6VP6600NR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6VP6600NR3 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 24.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-4L
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 24.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-4L
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MRFE6VP6600NR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.