MRFE6VS25LR5 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MRFE6VS25LR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: NI-360
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4851.68 грн |
| 5+ | 4669.73 грн |
| 10+ | 4486.96 грн |
| 50+ | 3766.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VS25LR5 NXP
Description: NXP - MRFE6VS25LR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: NI-360, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MRFE6VS25LR5 за ціною від 5008.20 грн до 6724.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VS25LR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-360 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-360 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRFE6VS25LR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V NI360L |
на замовлення 50 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRFE6VS25LR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
MRFE6VS25LR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MRFE6VS25LR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MRFE6VS25LR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-360 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-360 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA |
товару немає в наявності |