MRFE6VS25LR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-360
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-360
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6521.67 грн |
| 10+ | 5243.48 грн |
| 25+ | 4984.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VS25LR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VS25LR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: NI-360, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MRFE6VS25LR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VS25LR5 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V NI360L |
на замовлення 50 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MRFE6VS25LR5 | NXP |
Description: NXP - MRFE6VS25LR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: NI-360 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFE6VS25LR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V NI360L
RF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V NI360L
на замовлення 50 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
| MRFE6VS25LR5 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFE6VS25LR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: NI-360
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NXP - MRFE6VS25LR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: NI-360
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)