MRFG35002N6T1 Freescale Semiconductor
Виробник: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5
Current - Test: 65 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 8 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLD-1.5
Technology: pHEMT FET
Gain: 10dB
Power - Output: 1.5W
Frequency: 3.55GHz
Package / Case: PLD-1.5
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFG35002N6T1 Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5, Current - Test: 65 mA, Voltage - Test: 6 V, Voltage - Rated: 8 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PLD-1.5, Technology: pHEMT FET, Gain: 10dB, Power - Output: 1.5W, Frequency: 3.55GHz, Package / Case: PLD-1.5, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MRFG35002N6T1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFG35002N6T1 | NXP |
Description: NXP - MRFG35002N6T1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRFG35002N6T1 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFG35002N6T1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NXP - MRFG35002N6T1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)