MRFG35003N6AT1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5
Current - Test: 180 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 8 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5
Technology: pHEMT FET
Gain: 10dB
Power - Output: 450mW
Frequency: 3.55GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1393.24 грн |
| 10+ | 1071.56 грн |
| 25+ | 1004.16 грн |
| 100+ | 872.87 грн |
| 250+ | 839.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFG35003N6AT1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5, Current - Test: 180 mA, Voltage - Test: 6 V, Voltage - Rated: 8 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PLD-1.5, Technology: pHEMT FET, Gain: 10dB, Power - Output: 450mW, Frequency: 3.55GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PLD-1.5, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MRFG35003N6AT1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFG35003N6AT1 | NXP Semiconductors |
RF JFET Transistors 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFG35003N6AT1 |
|
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFG35003N6AT1 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF JFET Transistors 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
RF JFET Transistors 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.