MRFG35003N6AT1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.55GHz
Power - Output: 450mW
Gain: 10dB
Technology: pHEMT FET
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 180 mA
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1516.81 грн |
| 10+ | 1166.44 грн |
| 25+ | 1093.13 грн |
| 100+ | 950.20 грн |
| 250+ | 914.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFG35003N6AT1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PLD-1.5, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.55GHz, Power - Output: 450mW, Gain: 10dB, Technology: pHEMT FET, Supplier Device Package: PLD-1.5, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 8 V, Voltage - Test: 6 V, Current - Test: 180 mA.
Інші пропозиції MRFG35003N6AT1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFG35003N6AT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF JFET Transistors 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| MRFG35003N6AT1 |
|
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
MRFG35003N6AT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Power Field Effect Transistor |
товару немає в наявності |
|
|
|
MRFG35003N6AT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.55GHz Power - Output: 450mW Gain: 10dB Technology: pHEMT FET Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 6 V Current - Test: 180 mA |
товару немає в наявності |