| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 665.15 грн |
| 1001+ | 640.68 грн |
| 3001+ | 618.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFG35005ANT1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V PLD-1.5, Current - Test: 80 mA, Voltage - Test: 12 V, Voltage - Rated: 15 V, Supplier Device Package: PLD-1.5, Technology: pHEMT FET, Gain: 11dB, Power - Output: 4.5W, Frequency: 3.55GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PLD-1.5, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MRFG35005ANT1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFG35005ANT1 |
 |
на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| MRFG35005ANT1 | NXP Semiconductors |
RF Power Field Effect Transistor |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 994 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRFG35005ANT1 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF Power Field Effect Transistor
RF Power Field Effect Transistor
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)