MRFG35005ANT1 NXP Semiconductors


MRFG35005ANT1.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF Power Field Effect Transistor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+666.63 грн
1001+642.11 грн
3001+619.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFG35005ANT1 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V PLD-1.5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PLD-1.5, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.55GHz, Power - Output: 4.5W, Gain: 11dB, Technology: pHEMT FET, Supplier Device Package: PLD-1.5, Voltage - Rated: 15 V, Voltage - Test: 12 V, Current - Test: 80 mA.

Інші пропозиції MRFG35005ANT1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MRFG35005ANT1 NXP Semiconductors MRFG35005ANT1.pdf RF Power Field Effect Transistor
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 994 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35005ANT1 MRFG35005ANT1.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF Power Field Effect Transistor
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 994 шт
В кошику  од. на суму  грн.