Технічний опис MRFG35010ANT1 NXP / Freescale
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V PLD-1.5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PLD-1.5, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.55GHz, Power - Output: 9W, Gain: 10dB, Technology: pHEMT FET, Supplier Device Package: PLD-1.5, Voltage - Rated: 15 V, Voltage - Test: 12 V, Current - Test: 130 mA.
Інші пропозиції MRFG35010ANT1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFG35010ANT1 |
 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
MRFG35010ANT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Power Field Effect Transistor |
товар відсутній |
|
 |
MRFG35010ANT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V PLD-1.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.55GHz Power - Output: 9W Gain: 10dB Technology: pHEMT FET Supplier Device Package: PLD-1.5 Voltage - Rated: 15 V Voltage - Test: 12 V Current - Test: 130 mA |
товар відсутній |