MRFG35030R5
Виробник:
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFG35030R5
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V, Technology: pHEMT FET, Gain: 12dB, Power - Output: 3W, Frequency: 3.55GHz, Package / Case: HF-600, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 650 mA, Voltage - Test: 12 V, Voltage - Rated: 15 V.
Інші пропозиції MRFG35030R5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRFG35030R5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V Technology: pHEMT FET Gain: 12dB Power - Output: 3W Frequency: 3.55GHz Package / Case: HF-600 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 650 mA Voltage - Test: 12 V Voltage - Rated: 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRFG35030R5 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V
Technology: pHEMT FET
Gain: 12dB
Power - Output: 3W
Frequency: 3.55GHz
Package / Case: HF-600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 650 mA
Voltage - Test: 12 V
Voltage - Rated: 15 V
Description: RF MOSFET PHEMT FET 12V
Technology: pHEMT FET
Gain: 12dB
Power - Output: 3W
Frequency: 3.55GHz
Package / Case: HF-600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 650 mA
Voltage - Test: 12 V
Voltage - Rated: 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.