MRFX1K80GNR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Test: 65 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18496.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFX1K80GNR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-1230G-4L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz, Power - Output: 1800W, Gain: 24dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230G-4L, Part Status: Active, Voltage - Test: 65 V.
Інші пропозиції MRFX1K80GNR5 за ціною від 16129.88 грн до 22079.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFX1K80GNR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-1230G-4L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230G-4L Part Status: Active Voltage - Test: 65 V |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
MRFX1K80GNR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| MRFX1K80GNR5 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Test: 65 V
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Test: 65 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20635.11 грн |
| 10+ | 17811.15 грн |
| MRFX1K80GNR5 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22079.54 грн |
| 10+ | 18549.36 грн |
| 50+ | 16129.88 грн |

