MRFX1K80GNR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Test: 65 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18026.04 грн |
| 10+ | 15289.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFX1K80GNR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFX1K80GNR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 179V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 400MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.333kW, Bauform - Transistor: OM-1230G, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRFX1K80GNR5 за ціною від 49554.28 грн до 65543.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFX1K80GNR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRFX1K80GNR5 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRFX1K80GNR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 179V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 400MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 3.333kW Bauform - Transistor: OM-1230G Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MRFX1K80GNR5 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRFX1K80GNR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 179V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 400MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 3.333kW Bauform - Transistor: OM-1230G Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MRFX1K80GNR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230G-4L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230G-4L Part Status: Active Voltage - Test: 65 V |
товару немає в наявності |