Продукція > NXP > MRFX1K80GNR5
MRFX1K80GNR5

MRFX1K80GNR5 NXP

PHGL-S-A0005068753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NXP
Description: NXP - MRFX1K80GNR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 179V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 400MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.333kW
Bauform - Transistor: OM-1230G
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+16724.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFX1K80GNR5 NXP

Description: NXP - MRFX1K80GNR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 179V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 400MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.333kW, Bauform - Transistor: OM-1230G, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MRFX1K80GNR5 за ціною від 11040.38 грн до 19318.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRFX1K80GNR5 MRFX1K80GNR5 Виробник : NXP PHGL-S-A0005068753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - MRFX1K80GNR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 179V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 400MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.333kW
Bauform - Transistor: OM-1230G
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17066.05 грн
5+16724.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80GNR5 MRFX1K80GNR5 Виробник : NXP Semiconductors MRFX1K80N-1370592.pdf RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19138.27 грн
10+16612.73 грн
25+13893.35 грн
50+11040.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80GNR5 MRFX1K80GNR5 Виробник : NXP USA Inc. MRFX1K80N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Test: 65 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19318.28 грн
10+15965.06 грн
25+15306.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80GNR5 MRFX1K80GNR5 Виробник : NXP USA Inc. MRFX1K80N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Test: 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.