MRFX1K80H-230MHZ NXP

Description: NXP - MRFX1K80H-230MHZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 198439.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFX1K80H-230MHZ NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI1230, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-979A, Current Rating (Amps): 100mA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1800W, Gain: 25.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Voltage - Rated: 179 V, Voltage - Test: 65 V, Current - Test: 1.5 A.
Інші пропозиції MRFX1K80H-230MHZ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MRFX1K80H-230MHZ | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Bulk For Use With/Related Products: MRFX1K80H Frequency: 230MHz Type: Transistor Supplied Contents: Board(s) Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MRFX1K80H |
товару немає в наявності |
|
MRFX1K80H-230MHZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SOT-979A Current Rating (Amps): 100mA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 1800W Gain: 25.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 1.5 A |
товару немає в наявності |
||
![]() |
MRFX1K80H-230MHZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |