Продукція > NXP > MRFX1K80H-230MHZ

MRFX1K80H-230MHZ NXP


MRFX1K80H.pdf Виробник: NXP
Description: NXP - MRFX1K80H-230MHZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+198439.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFX1K80H-230MHZ NXP

Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI1230, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-979A, Current Rating (Amps): 100mA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1800W, Gain: 25.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Voltage - Rated: 179 V, Voltage - Test: 65 V, Current - Test: 1.5 A.

Інші пропозиції MRFX1K80H-230MHZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRFX1K80H-230MHZ MRFX1K80H-230MHZ Виробник : NXP USA Inc. MRFX1K80H.pdf Description: MRFX1K80H REF BRD 230MHZ 1800W
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MRFX1K80H
Frequency: 230MHz
Type: Transistor
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: MRFX1K80H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80H-230MHZ Виробник : NXP Semiconductors MRFX1K80H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-979A
Current Rating (Amps): 100mA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1800W
Gain: 25.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Voltage - Rated: 179 V
Voltage - Test: 65 V
Current - Test: 1.5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80H-230MHZ MRFX1K80H-230MHZ Виробник : NXP Semiconductors MRFX1K80H-1222666.pdf Sub-GHz Development Tools 1800W - 230MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.