MRFX1K80H-230MHZ NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MRFX1K80H-230MHZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 206433.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFX1K80H-230MHZ NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI1230, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-979A, Current Rating (Amps): 100mA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1800W, Gain: 25.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Voltage - Rated: 179 V, Voltage - Test: 65 V, Current - Test: 1.5 A.
Інші пропозиції MRFX1K80H-230MHZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFX1K80H-230MHZ | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MRFX1K80H REF BRD 230MHZ 1800W Packaging: Bulk For Use With/Related Products: MRFX1K80H Frequency: 230MHz Type: Transistor Supplied Contents: Board(s) Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MRFX1K80H |
товару немає в наявності |
|
| MRFX1K80H-230MHZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI1230 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-979A Current Rating (Amps): 100mA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 1800W Gain: 25.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 1.5 A |
товару немає в наявності |
||
 |
MRFX1K80H-230MHZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Sub-GHz Development Tools 1800W - 230MHz |
товару немає в наявності |