MRFX1K80NR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Voltage - Test: 65 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14996.84 грн |
| 10+ | 12335.49 грн |
| 25+ | 11809.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFX1K80NR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 179V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 400MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.333kW, Bauform - Transistor: OM-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRFX1K80NR5 за ціною від 17045.21 грн до 63754.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 179V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 400MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 3.333kW Bauform - Transistor: OM-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L Voltage - Test: 65 V |
товару немає в наявності |