Продукція > NXP USA INC. > MRFX1K80NR5
MRFX1K80NR5

MRFX1K80NR5 NXP USA Inc.

MRFX1K80N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Voltage - Test: 65 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24047.39 грн
10+19986.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFX1K80NR5 NXP USA Inc.

Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 179V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Betriebsfrequenz, max.: 400MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 3.333kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: OM-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.

Інші пропозиції MRFX1K80NR5 за ціною від 17231.17 грн до 52320.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRFX1K80NR5 MRFX1K80NR5 NXP Semiconductors MRFX1K80N.pdf RF MOSFET Transistors 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+24653.34 грн
10+19815.85 грн
50+17231.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80NR5 MRFX1K80NR5 NXP PHGL-S-A0005068753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 179V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 400MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 3.333kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52320.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80NR5 MRFX1K80N.pdf
MRFX1K80NR5
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24653.34 грн
10+19815.85 грн
50+17231.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80NR5 PHGL-S-A0005068753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MRFX1K80NR5
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 179V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 400MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 3.333kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+52320.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.