Продукція > NXP USA INC. > MRFX1K80NR5
MRFX1K80NR5

MRFX1K80NR5 NXP USA Inc.

MRFX1K80N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Voltage - Test: 65 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12341.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFX1K80NR5 NXP USA Inc.

Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 179V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 400MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.333kW, Bauform - Transistor: OM-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MRFX1K80NR5 за ціною від 11361.87 грн до 15507.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRFX1K80NR5 MRFX1K80NR5 Виробник : NXP PHGL-S-A0005068753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 179V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 400MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.333kW
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14219.64 грн
5+13934.92 грн
10+13651.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80NR5 MRFX1K80NR5 Виробник : NXP Semiconductors MRFX1K80N-1370592.pdf RF MOSFET Transistors 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15021.89 грн
50+13242.13 грн
100+11455.30 грн
250+11411.16 грн
500+11394.98 грн
1000+11378.79 грн
2500+11361.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80NR5 MRFX1K80NR5 Виробник : NXP USA Inc. MRFX1K80N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Voltage - Test: 65 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15507.94 грн
10+12995.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80NR5 MRFX1K80NR5 Виробник : NXP Semiconductors mrfx1k80n.pdf Trans RF FET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80NR5 MRFX1K80NR5 Виробник : NXP Semiconductors mrfx1k80n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX1K80NR5 MRFX1K80NR5 Виробник : NXP Semiconductors mrfx1k80n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.