MS1001

MS1001 Advanced Semiconductor, Inc.


index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=9547
Виробник: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor
на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5934.72 грн
10+5301.33 грн
25+4450.60 грн
50+4291.36 грн
100+4132.11 грн
250+4005.54 грн
500+3935.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MS1001 Advanced Semiconductor, Inc.

Description: RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: M174, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, Current - Collector (Ic) (Max): 20A, Power - Max: 270W, Gain: 13dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: M174, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції MS1001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MS1001 Виробник : MICROSEMI index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=9547 TO-55
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MS1001 Виробник : Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=9547 Description: RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: M174
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
Current - Collector (Ic) (Max): 20A
Power - Max: 270W
Gain: 13dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: M174
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MS1001 Виробник : Microchip Technology MS1001_REV_-2528779.pdf RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.