Продукція > ONSEMI > MSA1162GT1G
MSA1162GT1G

MSA1162GT1G onsemi

msa1162gt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.93 грн
6000+1.76 грн
9000+1.50 грн
30000+1.30 грн
75000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSA1162GT1G onsemi

Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MSA1162GT1G за ціною від 1.06 грн до 11.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MSA1162GT1G MSA1162GT1G onsemi MSA1162GT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+8.47 грн
58+5.67 грн
100+3.10 грн
500+2.33 грн
1000+2.04 грн
3000+1.90 грн
6000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSA1162GT1G MSA1162GT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+8.55 грн
143+5.79 грн
226+3.64 грн
500+2.32 грн
1000+1.92 грн
5000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSA1162GT1G MSA1162GT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.55 грн
143+5.79 грн
226+3.64 грн
500+2.32 грн
1000+1.92 грн
5000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSA1162GT1G MSA1162GT1G onsemi msa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 149052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
40+7.64 грн
100+4.11 грн
500+3.03 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSA1162GT1G ON Semiconductor msa1162gt1-d.pdf
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSA1162GT1G MSA1162GT1-D.PDF
MSA1162GT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
39+8.47 грн
58+5.67 грн
100+3.10 грн
500+2.33 грн
1000+2.04 грн
3000+1.90 грн
6000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSA1162GT1G ONSM-S-A0013307623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MSA1162GT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
97+8.55 грн
143+5.79 грн
226+3.64 грн
500+2.32 грн
1000+1.92 грн
5000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSA1162GT1G ONSM-S-A0013307623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MSA1162GT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.55 грн
143+5.79 грн
226+3.64 грн
500+2.32 грн
1000+1.92 грн
5000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSA1162GT1G msa1162gt1-d.pdf
MSA1162GT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 149052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.10 грн
40+7.64 грн
100+4.11 грн
500+3.03 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSA1162GT1G msa1162gt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.