Продукція > ONSEMI > MSB709-RT1G
MSB709-RT1G

MSB709-RT1G onsemi

msb709-rt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 578448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5323+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 5323
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSB709-RT1G onsemi

Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції MSB709-RT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSB709-RT1G Виробник : ON msb709-rt1-d.pdf 07+;
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSB709-RT1G Виробник : ON msb709-rt1-d.pdf SOT23
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSB709-RT1G Виробник : ON msb709-rt1-d.pdf SOT23/SOT323
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSB709-RT1G MSB709-RT1G Виробник : ON Semiconductor msb709-rt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MSB709-RT1G MSB709-RT1G Виробник : onsemi msb709-rt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
MSB709-RT1G MSB709-RT1G Виробник : onsemi msb709-rt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
MSB709-RT1G MSB709-RT1G Виробник : onsemi MSB709_RT1_D-1811697.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
товар відсутній