MSB92AS1WT1G ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3953+ | 7.83 грн |
| 10000+ | 6.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSB92AS1WT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції MSB92AS1WT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSB92AS1WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT SSP SC70 HV XSTR PNP 300V |
на замовлення 20535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
MSB92AS1WT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |