MSB92ASWT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.11 грн |
| 1000+ | 3.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSB92ASWT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MSB92ASWT1G за ціною від 3.42 грн до 20.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSB92ASWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 2603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MSB92ASWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MSB92ASWT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP |
на замовлення 20848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MSB92ASWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MSB92ASWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MSB92ASWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MSB92ASWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MSB92ASWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |