Продукція > ONSEMI > MSB92ASWT1G

MSB92ASWT1G onsemi


msb92aswt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSB92ASWT1G onsemi

Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MSB92ASWT1G за ціною від 3.57 грн до 16.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSB92ASWT1G MSB92ASWT1G onsemi msb92aswt1-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.16 грн
32+9.49 грн
100+5.87 грн
500+4.04 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G MSB92ASWT1G onsemi msb92aswt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G MSB92ASWT1G ONSEMI 2371187.pdf Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G MSB92ASWT1G ONSEMI 2371187.pdf Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G ON Semiconductor msb92aswt1-d.pdf
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G msb92aswt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.16 грн
32+9.49 грн
100+5.87 грн
500+4.04 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G msb92aswt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G 2371187.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G 2371187.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSB92ASWT1G msb92aswt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.