MSB92ASWT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSB92ASWT1G onsemi
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MSB92ASWT1G за ціною від 2.89 грн до 19.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSB92ASWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MSB92ASWT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 5063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MSB92ASWT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP |
на замовлення 17731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MSB92ASWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MSB92ASWT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MSB92ASWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.92 грн |
| 111+ | 7.41 грн |
| 500+ | 5.05 грн |
| 1000+ | 4.12 грн |
| MSB92ASWT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.65 грн |
| 32+ | 9.77 грн |
| 100+ | 6.05 грн |
| 500+ | 4.17 грн |
| 1000+ | 3.68 грн |
| MSB92ASWT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP
на замовлення 17731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.68 грн |
| 31+ | 10.54 грн |
| 100+ | 5.71 грн |
| 500+ | 4.16 грн |
| 1000+ | 3.67 грн |
| 3000+ | 3.31 грн |
| 6000+ | 2.89 грн |
| MSB92ASWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 19.74 грн |
| 69+ | 11.92 грн |
| 111+ | 7.41 грн |
| 500+ | 5.05 грн |
| 1000+ | 4.12 грн |
| MSB92ASWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



