Технічний опис MSB92T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 300V 0.15A SC-59, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Supplier Device Package: SC-59, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MSB92T1G за ціною від 2.66 грн до 12.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSB92T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MSB92T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MSB92T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MSB92T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MSB92T1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.15A SC-59Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSB92T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 300V |
на замовлення 14030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MSB92T1G | ON |
SOT23 |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MSB92T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSB92T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSB92T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13275+ | 2.66 грн |
| MSB92T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13275+ | 2.66 грн |
| MSB92T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13275+ | 2.66 грн |
| MSB92T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans GP BJT PNP 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13275+ | 2.66 грн |
| MSB92T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.15A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 300V 0.15A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.51 грн |
| 41+ | 7.46 грн |
| 100+ | 4.62 грн |
| 500+ | 3.15 грн |
| MSB92T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 300V
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 300V
на замовлення 14030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MSB92T1G |
![]() |
Виробник: ON
SOT23
SOT23
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| MSB92T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSB92T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MSB92T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




