MSC010SDA120K Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 295.30 грн |
| 25+ | 262.12 грн |
| 100+ | 239.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC010SDA120K Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC010SDA120K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 48 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 48nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MSC010SDA120K за ціною від 275.43 грн до 423.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC010SDA120K | Microchip Technology |
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A SiC SBD |
на замовлення 75 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||
 |
MSC010SDA120K | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 50uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 50µA Power dissipation: 59W Kind of package: tube Manufacturer standard package: 50pcs. Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
MSC010SDA120K | Microsemi |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
MSC010SDA120K | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC010SDA120K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 48 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 48nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MSC010SDA120K |
|
Виробник: Microchip Technology
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A SiC SBD
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A SiC SBD
на замовлення 75 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 328.36 грн |
| MSC010SDA120K |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 59W
Kind of package: tube
Manufacturer standard package: 50pcs.
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 59W
Kind of package: tube
Manufacturer standard package: 50pcs.
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 336.70 грн |
| 4+ | 291.14 грн |
| 9+ | 275.43 грн |
| MSC010SDA120K |
|
Виробник: Microsemi
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 423.33 грн |
| MSC010SDA120K |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC010SDA120K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 48 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: MICROCHIP - MSC010SDA120K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 48 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)