
MSC015SMA070B MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1406.27 грн |
2+ | 1234.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC015SMA070B MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: SICFET N-CH 700V 131A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V.
Інші пропозиції MSC015SMA070B за ціною від 1460.99 грн до 3715.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSC015SMA070B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 99A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 215nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MSC015SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MSC015SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MSC015SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MSC015SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MSC015SMA070B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |