Продукція > MICROCHIP > MSC015SMA070B4

MSC015SMA070B4 MICROCHIP


3683064.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC015SMA070B4 MICROCHIP

Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 455W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції MSC015SMA070B4 за ціною від 1146.21 грн до 1291.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC015SMA070B4 MSC015SMA070B4 Microchip Technology MSC015SMA070B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4 Microchip Technology Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1291.21 грн
25+1146.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4 MSC015SMA070B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1291.21 грн
25+1146.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.