MSC015SMA070B4 MICROCHIP
Виробник: MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 455W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2580.49 грн |
| 25+ | 2070.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC015SMA070B4 MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 455W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 455W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MSC015SMA070B4 за ціною від 1772.24 грн до 4619.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC015SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC015SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| MSC015SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
MSC015SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
MSC015SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
MSC015SMA070B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-4 On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 455W Gate charge: 215nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 99A Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
MSC015SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
MSC015SMA070B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-4 On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 455W Gate charge: 215nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 99A Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |