MSC015SMA070B4 Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1275.50 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC015SMA070B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 455W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Інші пропозиції MSC015SMA070B4 за ціною від 1172.48 грн до 5661.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC015SMA070B4 | Microchip Technology |
 Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
MSC015SMA070B4 | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 455W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSC015SMA070B4 | Microchip Technology |
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MSC015SMA070B4 |
|
Виробник: Microchip Technology
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 5661.52 грн |
| MSC015SMA070B4 |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 455W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 455W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MSC015SMA070B4 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1320.33 грн |
| 25+ | 1172.48 грн |