MSC017SMA120B

MSC017SMA120B Microchip Technology


1245210-msc017sma120b-datasheet Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3705.29 грн
25+3289.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC017SMA120B Microchip Technology

Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 455W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції MSC017SMA120B за ціною від 2610.93 грн до 4727.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSC017SMA120B MSC017SMA120B Виробник : Microchip Technology MSC017SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet-3444321.pdf MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3796.24 грн
30+3450.13 грн
120+2610.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B Виробник : Microchip Technology microsemi_msc017sma120b_sic_mosfet_datasheet_b.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3289.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B Виробник : Microchip Technology microsemi_msc017sma120b_sic_mosfet_datasheet_b.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3542.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B Виробник : Microchip Technology microsemi_msc017sma120b_sic_mosfet_datasheet_b.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+4727.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B Виробник : Microchip Technology microsemi_msc017sma120b_sic_mosfet_datasheet_b.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B Виробник : Microchip Technology 1245210-msc017sma120b-datasheet MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B Виробник : Microchip Technology 1245210-msc017sma120b-datasheet MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 1245210-msc017sma120b-datasheet MSC017SMA120B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.