MSC017SMA120J MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 62A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Power dissipation: 278W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: -10...23V
On-state resistance: 22mΩ
Manufacturer standard package: 10pcs.
Pulsed drain current: 280A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2876.93 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC017SMA120J MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227, Packaging: Bulk, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ), Supplier Device Package: SOT-227, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC017SMA120J за ціною від 2343.17 грн до 3406.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC017SMA120J | Microchip Technology |
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227 Packaging: Bulk Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
MSC017SMA120J | Microchip Technology |
MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227 |
на замовлення 341 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| MSC017SMA120J |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3139.27 грн |
| MSC017SMA120J |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
на замовлення 341 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3406.88 грн |
| 10+ | 3096.65 грн |
| 100+ | 2343.17 грн |