Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC020SMB120B4N
MSC020SMB120B4N

MSC020SMB120B4N MICROCHIP TECHNOLOGY


Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 243A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4-notch
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 243A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Family: SMB
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1113.47 грн
3+977.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC020SMB120B4N MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - MSC020SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 97 A, 1.2 kV, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 416W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.

Інші пропозиції MSC020SMB120B4N за ціною від 857.92 грн до 1247.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC020SMB120B4N MSC020SMB120B4N Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 115 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1247.38 грн
30+1133.78 грн
120+857.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SMB120B4N MSC020SMB120B4N MICROCHIP Description: MICROCHIP - MSC020SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 97 A, 1.2 kV, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SMB120B4N
MSC020SMB120B4N
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 115 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1247.38 грн
30+1133.78 грн
120+857.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SMB120B4N
MSC020SMB120B4N
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC020SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 97 A, 1.2 kV, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.