MSC020SMB120B4N Microchip Technology
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1158.50 грн |
| 30+ | 1052.98 грн |
| 120+ | 796.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC020SMB120B4N Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC020SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 97 A, 1.2 kV, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 416W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції MSC020SMB120B4N за ціною від 1071.53 грн до 1162.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC020SMB120B4N | MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - MSC020SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 97 A, 1.2 kV, 0.027 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: mSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MSC020SMB120B4N |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC020SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 97 A, 1.2 kV, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MICROCHIP - MSC020SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 97 A, 1.2 kV, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1162.60 грн |
| 25+ | 1117.47 грн |
| 100+ | 1071.53 грн |