MSC025SMA120B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2946.09 грн |
| 25+ | 2616.12 грн |
| 100+ | 2137.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC025SMA120B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MSC025SMA120B за ціною від 2250.45 грн до 4076.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC025SMA120B | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC025SMA120B | Виробник : Microsemi |
SiC MOSFETs |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC025SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247 |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC025SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC025SMA120B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSC025SMA120B THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
MSC025SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
MSC025SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MSC025SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |