MSC025SMA120B Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC025SMA120B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MSC025SMA120B за ціною від 3776.31 грн до 4725.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC025SMA120B | Microsemi |
SiC MOSFETs |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
MSC025SMA120B | Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
MSC025SMA120B | Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247 |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
MSC025SMA120B | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MSC025SMA120B |
|
Виробник: Microsemi
SiC MOSFETs
SiC MOSFETs
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 3776.31 грн |
| MSC025SMA120B |
|
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 4725.51 грн |
| MSC025SMA120B |
|
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MSC025SMA120B |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)