Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC025SMA120B4
MSC025SMA120B4

MSC025SMA120B4 Microchip Technology

MSC025SMA120B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC025SMA120B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 500W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Інші пропозиції MSC025SMA120B4 за ціною від 2807.49 грн до 4867.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B4 MICROCHIP Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4 Microchip Technology Description: TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2807.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4 Microchip Technology microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3879.09 грн
10+3840.43 грн
25+3132.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4 Microchip Technology microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4108.22 грн
10+3913.04 грн
25+3511.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4 Microchip Technology microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4365.71 грн
5+3927.04 грн
10+3668.32 грн
20+3374.10 грн
50+3110.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4 Microchip Technology microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4867.29 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4
MSC025SMA120B4
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2807.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4 microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3879.09 грн
10+3840.43 грн
25+3132.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4 microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4108.22 грн
10+3913.04 грн
25+3511.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4 microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4365.71 грн
5+3927.04 грн
10+3668.32 грн
20+3374.10 грн
50+3110.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4 microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf
Виробник: Microchip Technology
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+4867.29 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.