MSC025SMA120B4 MICROCHIP
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC025SMA120B4 MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 500W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Інші пропозиції MSC025SMA120B4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC025SMA120B4 | Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MSC025SMA120B4 |
|
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)