MSC025SMB120B4N Microchip Technology
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1039.34 грн |
| 30+ | 944.74 грн |
| 120+ | 714.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC025SMB120B4N Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 57A; Idm: 193A; 357W, Case: TO247-4, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of transistor: N-MOSFET, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Technology: SiC, Family: SMB, Gate charge: 109nC, On-state resistance: 33mΩ, Power dissipation: 357W, Drain current: 57A, Drain-source voltage: 1.2kV, Pulsed drain current: 193A, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції MSC025SMB120B4N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC025SMB120B4N | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 57A; Idm: 193A; 357W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Family: SMB Gate charge: 109nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 357W Drain current: 57A Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 193A Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |