MSC025SMB120B4N MICROCHIP
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC025SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC025SMB120B4N MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC025SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.
Інші пропозиції MSC025SMB120B4N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC025SMB120B4N | Microchip Technology | SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MSC025SMB120B4N |
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)