MSC030SDA070B Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE SIL CARBIDE 700V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 700V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 485.3 грн |
25+ | 430.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC030SDA070B Microchip Technology
Description: DIODE SIL CARBIDE 700V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 60A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V.
Інші пропозиції MSC030SDA070B за ціною від 353.83 грн до 722.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC030SDA070B | Виробник : Microchip Technology | Schottky Diodes & Rectifiers FG, SIC SBD, TO-247 |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
MSC030SDA070B | Виробник : Microchip Technology | Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
MSC030SDA070B | Виробник : Microchip Technology | Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
MSC030SDA070B | Виробник : Microsemi | MSC030SDA070B |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
MSC030SDA070B | Виробник : Microchip Technology | Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
MSC030SDA070B | Виробник : Microchip Technology | UNRLS, FG, GEN2, SIC SBD, TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||
MSC030SDA070B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 700V; 30A; 81W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 700V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.75V Case: TO247-2 Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 148A Power dissipation: 81W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
MSC030SDA070B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 700V; 30A; 81W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 700V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.75V Case: TO247-2 Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 148A Power dissipation: 81W |
товар відсутній |