MSC030SDA170B Microchip Technology


Microsemi_MSC030SDA170B_SiC_Schottky_Diode_Datasheet_A.pdf
Виробник: Microchip Technology
SiC Schottky Diodes SIC SBD 1700 V 30 A TO-247
на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+748.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC030SDA170B Microchip Technology

Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 82A TO247, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247, Current - Average Rectified (Io): 82A, Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.

Інші пропозиції MSC030SDA170B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSC030SDA170B MSC030SDA170B Microchip Technology 1244151-msc030sda170b-datasheet Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 82A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA170B 1244151-msc030sda170b-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 82A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.