MSC030SDA170B Microchip Technology
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1929.95 грн |
| 10+ | 1842.54 грн |
| 30+ | 1395.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC030SDA170B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC030SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 30 A, 230 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 230nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MSC030SDA170B за ціною від 1929.97 грн до 2562.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC030SDA170B | Виробник : MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - MSC030SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 30 A, 230 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 230nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
MSC030SDA170B | Виробник : Microchip Technology |
Schottky Barrier Diodes |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| MSC030SDA170B | Виробник : Microsemi |
Schottky Barrier Diodes |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
MSC030SDA170B | Виробник : Microchip Technology |
Schottky Barrier Diodes |
товару немає в наявності |
|||||
 |
MSC030SDA170B | Виробник : Microchip Technology |
Schottky Barrier Diodes |
товару немає в наявності |
|||||
 |
MSC030SDA170B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 30A; TO247-2; Ir: 125uA Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Technology: SiC Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Leakage current: 125µA Power dissipation: 186W Max. forward voltage: 2.25V Load current: 30A Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward impulse current: 353A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
 |
MSC030SDA170B | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 82A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 82A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
MSC030SDA170B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 30A; TO247-2; Ir: 125uA Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Technology: SiC Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Leakage current: 125µA Power dissipation: 186W Max. forward voltage: 2.25V Load current: 30A Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward impulse current: 353A |
товару немає в наявності |