MSC030SMB120B4N Microchip Technology
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 909.34 грн |
| 30+ | 825.82 грн |
| 120+ | 625.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC030SMB120B4N Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 69A; Idm: 161A; 310W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 69A, Pulsed drain current: 161A, Power dissipation: 310W, Case: TO247-4-notch, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 91nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Family: SMB.
Інші пропозиції MSC030SMB120B4N за ціною від 654.45 грн до 846.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSC030SMB120B4N | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-247Packaging: Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MSC030SMB120B4N | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 69A; Idm: 161A; 310W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 69A Pulsed drain current: 161A Power dissipation: 310W Case: TO247-4-notch On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Family: SMB |
товару немає в наявності |