MSC035SMA070B4 Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 761.42 грн |
| 10+ | 710.50 грн |
| 30+ | 608.20 грн |
| 60+ | 580.05 грн |
| 120+ | 565.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC035SMA070B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції MSC035SMA070B4 за ціною від 694.41 грн до 1765.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSC035SMA070B4 | Microchip Technology |
Description: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 283W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MSC035SMA070B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W; SMA Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 54A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Manufacturer standard package: 30pcs. Pulsed drain current: 192A Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: tube Family: SMA |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
MSC035SMA070B4 | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MSC035SMA070B4 | Microchip Technology |
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MSC035SMA070B4 | Microchip Technology |
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MSC035SMA070B4 | Microchip Technology |
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MSC035SMA070B4 | Microchip Technology |
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MSC035SMA070B4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
Description: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 782.09 грн |
| 25+ | 694.41 грн |
| MSC035SMA070B4 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W; SMA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 54A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 192A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Family: SMA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W; SMA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 54A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 192A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Family: SMA
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1174.86 грн |
| MSC035SMA070B4 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MSC035SMA070B4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1386.50 грн |
| 30+ | 1213.43 грн |
| MSC035SMA070B4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1386.50 грн |
| 30+ | 1213.43 грн |
| MSC035SMA070B4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1497.34 грн |
| MSC035SMA070B4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1765.42 грн |
| 30+ | 1551.77 грн |
| 60+ | 1502.21 грн |
| 120+ | 1368.29 грн |






