MSC035SMA070B4 MICROCHIP
Виробник: MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1049.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC035SMA070B4 MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції MSC035SMA070B4 за ціною від 824.18 грн до 1473.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 283W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology |
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
MSC035SMA070B4 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 54A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MSC035SMA070B4 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 54A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC |
товару немає в наявності |