MSC035SMA070B4 Microchip Technology


MSC035SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
SiC MOSFETs FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
на замовлення 961 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+761.42 грн
10+710.50 грн
30+608.20 грн
60+580.05 грн
120+565.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC035SMA070B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції MSC035SMA070B4 за ціною від 694.41 грн до 1765.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSC035SMA070B4 MSC035SMA070B4 Microchip Technology MSC035SMA070B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.09 грн
25+694.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 MSC035SMA070B4 MICROCHIP TECHNOLOGY MSC035SMA070B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W; SMA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 54A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 192A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Family: SMA
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1174.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 MSC035SMA070B4 MICROCHIP 3683074.pdf Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 Microchip Technology microsemi_msc035sma070b_sic_mosfet_datasheet_c.pdf 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1386.50 грн
30+1213.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 Microchip Technology microsemi_msc035sma070b_sic_mosfet_datasheet_c.pdf 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1386.50 грн
30+1213.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 Microchip Technology microsemi_msc035sma070b_sic_mosfet_datasheet_c.pdf 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1497.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 Microchip Technology microsemi_msc035sma070b_sic_mosfet_datasheet_c.pdf 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1765.42 грн
30+1551.77 грн
60+1502.21 грн
120+1368.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 MSC035SMA070B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+782.09 грн
25+694.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 MSC035SMA070B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W; SMA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 54A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 192A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Family: SMA
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1174.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 3683074.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 microsemi_msc035sma070b_sic_mosfet_datasheet_c.pdf
Виробник: Microchip Technology
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1386.50 грн
30+1213.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 microsemi_msc035sma070b_sic_mosfet_datasheet_c.pdf
Виробник: Microchip Technology
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1386.50 грн
30+1213.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 microsemi_msc035sma070b_sic_mosfet_datasheet_c.pdf
Виробник: Microchip Technology
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1497.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4 microsemi_msc035sma070b_sic_mosfet_datasheet_c.pdf
Виробник: Microchip Technology
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1765.42 грн
30+1551.77 грн
60+1502.21 грн
120+1368.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.