
MSC035SMA070S MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 46A; Idm: 163A; 206W
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 46A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 206W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 163A
Mounting: SMD
Case: D3PAK
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 898.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC035SMA070S MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET N-CH 700V D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V, Power Dissipation (Max): 206W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA, Supplier Device Package: D3Pak, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V.
Інші пропозиції MSC035SMA070S за ціною від 885.47 грн до 1680.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSC035SMA070S | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 46A; Idm: 163A; 206W Drain-source voltage: 700V Drain current: 46A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 206W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 99nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 163A Mounting: SMD Case: D3PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
MSC035SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 206W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
MSC035SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
MSC035SMA070S | Виробник : Microsemi |
![]() |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
MSC035SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
MSC035SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |