MSC035SMA070S MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 46A; Idm: 163A; 206W
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Power dissipation: 206W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 44mΩ
Pulsed drain current: 163A
Gate charge: 99nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 46A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 700V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 989.33 грн |
| 3+ | 868.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC035SMA070S MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: MOSFET N-CH 700V D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V, Power Dissipation (Max): 206W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA, Supplier Device Package: D3Pak, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V.
Інші пропозиції MSC035SMA070S за ціною від 772.43 грн до 1603.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC035SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 700V D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 206W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC035SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC035SMA070S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 46A; Idm: 163A; 206W Technology: SiC Mounting: SMD Case: D3PAK Power dissipation: 206W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 44mΩ Pulsed drain current: 163A Gate charge: 99nC Polarisation: unipolar Drain current: 46A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 700V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC035SMA070S | Виробник : Microsemi |
MSC035SMA070S |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MSC035SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MSC035SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
MSC035SMA070S |
товар відсутній |